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产品简介:
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IRFU220BTU_FP001 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件,适用于中高功率应用。该器件具有良好的导通电阻、开关性能和热稳定性,广泛应用于多种电力电子系统中。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能的电能转换与调节。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制电路中作为开关元件,用于控制电机的启停、转速与方向。 3. 负载开关:用于控制高功率负载的通断,例如LED照明、加热元件或风扇等。 4. 逆变器系统:在UPS(不间断电源)或太阳能逆变器中用于将直流电转换为交流电。 5. 汽车电子:如车载充电系统、电动工具、电池管理系统(BMS)等对可靠性和效率要求较高的场景。 该MOSFET采用表面贴装封装,适合自动化装配,适用于需要高效率、高可靠性的工业与消费类电子产品设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFU220BTU_FP001 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 2.3A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 5,040 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A (Tc) |