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FQAF13N80产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF13N80由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF13N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF13N80封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF。您可以下载FQAF13N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQAF13N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF13N80 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括以下方面: 1. 开关电源 (SMPS): FQAF13N80 的高电压耐受能力(800V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它可以作为主开关管,在高频条件下实现高效的能量转换。 2. 电机驱动: 在工业和消费类电机控制中,该 MOSFET 可用于驱动直流无刷电机 (BLDC) 或步进电机。其低导通电阻(典型值为 2.4Ω)有助于减少功率损耗,提高系统效率。 3. 逆变器电路: 该器件适用于太阳能逆变器或 UPS 系统中的功率级切换。它能够在高压环境下稳定工作,确保逆变器输出波形的精确性和可靠性。 4. 电磁阀控制: 在需要高电压驱动的电磁阀应用中,FQAF13N80 能够提供可靠的开关功能,同时保持较低的功耗。 5. 继电器替代: 由于其快速开关特性和紧凑的设计,FQAF13N80 可以用作固态继电器来替代传统机械继电器,从而减少噪音并延长使用寿命。 6. PFC (功率因数校正): 在功率因数校正电路中,这款 MOSFET 可以帮助改善输入电流波形,提高系统的整体效率和性能。 7. 负载开关: 在汽车电子或工业设备中,FQAF13N80 可用作负载开关,控制高电压负载的开启与关闭,同时具备良好的热管理和保护特性。 总结来说,FQAF13N80 凭借其出色的耐压能力、低导通电阻以及稳健的电气性能,广泛应用于各种高压、高频和高效能需求的电力电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PFMOSFET 800V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQAF13N80QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQAF13N80 |
Pd-PowerDissipation | 120 W |
Pd-功率耗散 | 120 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 150 ns |
下降时间 | 110 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 88nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 4A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3PF |
典型关闭延迟时间 | 155 ns |
功率-最大值 | 120W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 7 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | SC-94 |
封装/箱体 | TO-3PF-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 10.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
系列 | FQAF13N80 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQAF13N80_NL |