ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDP15N40
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDP15N40产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP15N40由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP15N40价格参考。Fairchild SemiconductorFDP15N40封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 400V 15A(Tc) 170W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP15N40参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP15N40 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP15N40 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS) FDP15N40 具有 400V 的高击穿电压和低导通电阻(Rds(on)),非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。它能够高效地控制电流的开断,降低能量损耗。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,FDP15N40 可以用作功率级开关器件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高电机驱动系统的效率。 3. 逆变器 该 MOSFET 常用于光伏逆变器、UPS(不间断电源)和其他类型的逆变器中,作为高频开关元件,将直流电转换为交流电。它的高耐压能力和低损耗特性使其成为理想选择。 4. PFC(功率因数校正)电路 在功率因数校正电路中,FDP15N40 可用于升压转换器的主开关,帮助提高输入功率因数并减少谐波失真,满足严格的电力标准。 5. 负载开关和保护电路 由于其低导通电阻和良好的热性能,FDP15N40 可用于各种负载开关和过流保护电路,确保系统在异常情况下安全运行。 6. 电动车和电池管理系统 (BMS) 在电动车或储能系统中,FDP15N40 可用于电池组的充放电管理、保护以及能量分配,提供可靠的高压开关功能。 7. 家电和工业设备 该器件适用于需要高压开关的家用电器(如空调、洗衣机)和工业设备(如焊接机、照明镇流器等),能够在高电压环境下稳定工作。 总结来说,FDP15N40 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高效能量转换和控制的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 400V 15A TO-220MOSFET 400V N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
Id-连续漏极电流 | 15 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP15N40UniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDP15N40 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 170 W |
Pd-功率耗散 | 170 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 55 ns |
下降时间 | 40 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1750pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 7.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 72 ns |
功率-最大值 | 170W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |
系列 | FDP15N40 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |