Datasheet下载- 型号： IRLD110
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLD110由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLD110价格参考。VishayIRLD110封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLD110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLD110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRLD110 是一款常用的增强型 N 沟道 MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。其主要特点包括低导通电阻、高速开关性能和较小的封装体积，适合用于低压、中功率场合。 IRLD110 的典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，适用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中的电源管理系统。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机的控制电路中作为开关元件使用，常见于机器人、无人机、电动玩具等产品中。 3. LED照明控制：用于LED驱动电路中的开关控制，实现调光或节能功能。 4. 电池保护电路：常用于锂电池保护板中，控制充放电通路，防止过流、短路等异常情况。 5. 逻辑接口与数字开关：因其低栅极电荷和良好的逻辑电平兼容性，可被微控制器直接驱动，用于构建数字开关或继电器替代方案。 该器件采用SOT-23封装，便于贴片安装，适合高密度PCB布局。由于其性能稳定、成本适中，IRLD110 在消费电子、工业控制和汽车电子等领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIPMOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLD110- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLD110IRLD110 |
| Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 47 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 540 毫欧 @ 600mA，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRLD110 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1300 mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 540 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 10 V |
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