Datasheet下载- 型号： PMV48XP,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV48XP,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV48XP,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV48XP,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMV48XP,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMV48XP,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMV48XP,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用小型表面贴装 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 39 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5 nC）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于便携式设备（如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备）中的负载开关、电池保护电路或电源路径管理，实现高效启停与反向电流阻断。 2. LED 驱动控制：作为 LED 背光或指示灯的低压侧开关，支持 PWM 调光，响应快、功耗低。 3. DC-DC 转换器：在同步降压转换器中作同步整流管（尤其适用于低输出电压、中小电流场景），提升转换效率。 4. 接口/IO 保护：用于 I²C、USB 等信号线的电平位移或过压钳位辅助电路，配合其他器件实现双向电平转换或热插拔保护。 5. 电机驱动：适用于微型直流电机（如振动马达、小风扇）的 H 桥或单路驱动中的高端/低端开关（需注意逻辑电平匹配与驱动能力）。 该器件额定电压为 −30 V，连续漏极电流达 −4.5 A（Ta = 25°C），具备良好的热稳定性与 ESD 防护（HBM ±2 kV），适合空间受限、高能效要求的消费类及工业嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23MOSFET P-CH -20 V -3.5 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.5 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMV48XP,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMV48XP,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 510 mW |
| Pd-功率耗散 | 510 mW |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-7579-2 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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