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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF44N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF44N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF44N10封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF44N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF44N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF44N10 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器及负载开关等场景。 在电源管理系统中,FQPF44N10常用于同步整流、电池充放电控制和电压调节模块,以提高系统效率并降低功耗。在电机驱动应用中,它可用于H桥电路或PWM调速控制,实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外,在各类电源适配器、充电器及工业自动化设备中,FQPF44N10也常作为主开关元件使用。 由于其良好的热稳定性和可靠性,该MOSFET也可用于汽车电子系统,如车载电源管理、LED照明驱动和电动助力转向系统等。总体而言,FQPF44N10凭借其优异性能,适合于中高功率开关应用,能有效提升系统的整体效能与稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 27A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF44N10 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 13.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 55W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 27A (Tc) |