Datasheet下载- 型号： FQP6N25
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP6N25由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP6N25价格参考。Fairchild SemiconductorFQP6N25封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP6N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP6N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP6N25 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。它具有 200V 的最大漏源电压 (VDS) 和 6A 的连续漏极电流 (ID)，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) FQP6N25 常用于开关电源中的功率开关器件，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关特性使其能够高效地控制电流流动，从而减少能量损耗。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中，FQP6N25 可用作功率开关来控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压能力和大电流容量适合驱动负载较大的电机。 3. 负载切换 该 MOSFET 可用于负载切换电路中，通过控制栅极电压实现对负载的通断操作。典型应用包括汽车电子、家用电器和工业设备中的负载管理。 4. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FQP6N25 可作为功率级元件，将直流电转换为交流电。其高耐压特性有助于应对逆变器运行时可能出现的电压尖峰。 5. 保护电路 由于其具备较高的击穿电压和良好的热稳定性，FQP6N25 被广泛应用于过流保护、短路保护和过压保护电路中，确保系统在异常情况下安全运行。 6. 音频放大器 在某些音频功放设计中，FQP6N25 可用作输出级的功率开关，提供足够的电流以驱动扬声器负载。 7. 电池管理系统 (BMS) 该器件可用于电池充放电控制电路中，通过精确调节电流和电压来保护电池免受过充或过放损害。 总之，FQP6N25 凭借其优异的电气性能和可靠性，成为许多中低功率应用的理想选择，特别是在需要高效开关和高电压承受能力的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 5.5A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP6N25 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 2.75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
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