Datasheet下载- 型号： NTB60N06LT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB60N06LT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB60N06LT4价格参考。ON SemiconductorNTB60N06LT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB60N06LT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB60N06LT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB60N06LT4是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压（60V）、高电流承载能力（连续漏极电流达60A）等特点，适用于需要高效能和高可靠性的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高电源转换效率并减小体积。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机或无刷电机驱动电路中作为功率开关，实现电机的启停、调速与方向控制。 3. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）、LED车灯驱动等，适用于对可靠性和热性能要求较高的车载环境。 4. 工业自动化：用于工业控制设备中的开关电源、继电器替代、传感器驱动等场景。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、移动电源、智能家电等，因其封装小巧、效率高，适合高密度布局设计。 6. 照明系统：用于LED照明的恒流驱动电路中，实现高效节能的照明控制。 该器件采用TO-220AB封装，易于散热和安装，适合中高功率应用。其低栅极电荷特性也有助于降低开关损耗，提高系统效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB60N06LT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3075pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 30A，5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB60N06LT4OS |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Ta） |
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