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产品简介:
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NVD6416ANT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件常用于需要高效、高频率开关性能的电源管理系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等,因其低导通电阻和高效率,有助于提升整体系统能效。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为负载开关使用,控制电源通断,延长电池寿命。 3. 电机控制:用于小型电机或步进电机的驱动电路中,实现快速开关控制。 4. 工业自动化:在PLC、传感器模块等工业控制系统中作为功率开关元件。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源管理模块。 该MOSFET采用TSSOP封装,适合表面贴装,适用于高密度电路设计。其设计兼顾了高可靠性与小型化需求,适合中低功率应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVD6416ANT4G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 81 毫欧 @ 17A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 71W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |