Datasheet下载- 型号： FQD7P06TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD7P06TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD7P06TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD7P06TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD7P06TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD7P06TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD7P06TF 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电池供电设备中的电源开关控制，具备低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于提高能效并减少发热。 2. 负载开关：在需要控制高边负载开关的系统中，如工业控制、电机驱动、LED照明等领域，FQD7P06TF可作为高效开关元件使用。 3. 电池供电设备：常见于笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中，用于电池充放电管理或电源路径控制。 4. 汽车电子：由于ON Semiconductor的产品通常具备良好的可靠性和温度适应性，该器件也适用于车载电源系统或辅助设备中。 5. 保护电路：用于过流保护、反向电流阻断等应用场景，因其具备一定的耐压和电流能力，适合构建简单高效的保护机制。 该MOSFET采用TDFN封装，体积小、散热性能好，适合高密度PCB设计和对空间有要求的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD7P06TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 295pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 451 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Tc） |
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