ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > SMUN5233DW1T1G
Datasheet下载- 型号： SMUN5233DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5233DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5233DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5233DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SMUN5233DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5233DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5233DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列器件，内置两个带有集成基极电阻的NPN晶体管。该器件采用SOT-26W小型封装，适合高密度表面贴装应用。 其典型应用场景包括便携式电子设备中的信号开关与逻辑驱动，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的LED驱动电路或LCD背光控制。由于内置偏置电阻，简化了外部电路设计，减少了元件数量，提高了系统可靠性，适用于空间受限的消费类电子产品。 此外，SMUN5233DW1T1G也广泛用于各类中低电流开关应用，如电源管理开关、继电器驱动、传感器信号调理和接口电路等工业控制领域。其稳定的电气性能和良好的温度适应性，使其在汽车电子中也有应用，例如车内照明控制、车载信息模块的小信号放大与切换。 该器件还适用于数字逻辑电平转换电路，在微控制器与外围设备之间实现高效、可靠的信号传递。得益于其快速开关特性和低饱和压降，有助于降低功耗，提升能效，特别适合电池供电设备。 综上，SMUN5233DW1T1G凭借集成化设计、小型化封装和高可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域中的信号开关、驱动与逻辑控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5233DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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