ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > NE85634-T1
Datasheet下载- 型号： NE85634-T1
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85634-T1由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85634-T1价格参考。CELNE85634-T1封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 2W Surface Mount SOT-89。您可以下载NE85634-T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85634-T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE85634-T1 是由品牌 CEL（California Eastern Laboratories）生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高性能硅锗（SiGe）NPN型晶体管。该器件专为高频、低噪声放大应用设计，广泛应用于无线通信系统中。 其主要应用场景包括： 1. 射频低噪声放大器（LNA）：适用于接收端前端电路，在2GHz以下频段表现出优异的噪声系数和增益性能，常用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等移动通信基站和终端设备。 2. 无线基础设施：在小型蜂窝基站、中继器和分布式天线系统中，用于信号放大与处理，提升接收灵敏度。 3. 宽带通信系统：支持宽频带工作，适合多种调制方式的射频放大需求，如Wi-Fi、物联网（IoT）网关和工业无线模块。 4. 消费类射频设备：可用于卫星导航（GPS）、无线音频传输和智能家电中的射频接收模块。 NE85634-T1具有高增益、低功耗和优良的线性度，能在较宽温度范围内稳定工作，适合对可靠性要求较高的环境。其SOT-323封装小巧，便于高密度贴装，适用于空间受限的便携式和嵌入式设备。综合性能使其成为中高频段射频放大应用的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 1GHZ SOT-89 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE85634-T1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-89 |
| 其它名称 | 2SC3357 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.4dB @ 1GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 6.5GHz |
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