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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5658RM3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5658RM3T5G价格参考。ON Semiconductor2SC5658RM3T5G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 100mA 180MHz 260mW 表面贴装 SOT-723。您可以下载2SC5658RM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC5658RM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5658RM3T5G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于小信号晶体管类别。该器件采用紧凑的表面贴装封装(如SOT-23或类似小型封装),具有高增益、低噪声和快速开关特性,适用于高频和中等功率放大应用。 主要应用场景包括: 1. 射频(RF)放大电路:由于其良好的高频响应性能,常用于无线通信设备中的射频小信号放大,如Wi-Fi模块、蓝牙模块和无线传感器等。 2. 音频放大电路:在便携式音频设备中作为前置放大器或驱动级,提供清晰的音频信号放大。 3. 开关电路:适用于LED驱动、继电器控制、电源管理等低功耗开关应用,具备快速响应能力。 4. 消费类电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求严格的电子产品中,用于信号切换与放大。 5. 工业控制与传感器接口:在各类传感器信号调理电路中作为放大或缓冲元件,提升系统灵敏度与稳定性。 该晶体管工作稳定、可靠性高,符合环保标准(如无铅、符合RoHS),适合自动化贴片生产,是现代电子设计中常用的通用型小信号BJT器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN GP AMP SOT-723两极晶体管 - BJT SS GENERAL PURPOSE NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC5658RM3T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5658RM3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,60mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 215 @ 1mA,6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 其它名称 | 2SC5658RM3T5GOSCT |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 260 mW |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 系列 | 2SC5658RM3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz |