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Datasheet下载- 型号： PMDPB70XP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMDPB70XP,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB70XP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDPB70XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDPB70XP,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 2.9A 490mW 表面贴装 6-HUSON-EP（2x2）。您可以下载PMDPB70XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMDPB70XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMDPB70XP,115 是 NXP USA Inc. 推出的双通道 P 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 LFPAK56 封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 39 mΩ @ VGS = −4.5 V）、逻辑电平驱动（支持−1.8 V至−10 V栅极电压）及高可靠性等特点。其典型应用场景包括： - 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、智能手表）中的负载开关与电源路径管理，实现电池供电与USB/充电器输入间的智能切换与反向电流阻断。 - 电池保护与充放电控制：集成于锂电池保护板或电源管理IC（PMIC）外围电路中，配合保护IC控制充/放电回路的通断，防止过放、短路等风险。 - H桥或半桥驱动辅助电路：作为高边开关与电平转换组件，常用于小型直流电机驱动（如微型风扇、振动马达）或LED背光调光电路中的PWM控制。 - 接口与I/O保护：在USB、SIM卡、SD卡等高速接口的电源域中提供热插拔保护、浪涌抑制与ESD防护支持。 - 工业与IoT终端：适用于空间受限的传感器节点、智能电表、PLC模块等，承担低功耗待机控制、多路电源域隔离等功能。 该器件因双MOSFET集成、小尺寸封装（4.6 mm × 3.5 mm）及无铅环保设计，特别适合高密度、低功耗、需快速响应的嵌入式系统应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMDPB70XP,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 87 毫欧 @ 2.9A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10443-6 |
| 功率-最大值 | 490mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A |
