Datasheet下载- 型号： DMG4511SK4-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG4511SK4-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG4511SK4-13价格参考。Diodes Inc.DMG4511SK4-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMG4511SK4-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG4511SK4-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 DMG4511SK4-13 的器件由 Diodes Incorporated 生产，属于 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 类别。它是一款包含多个MOSFET（通常为两个或四个）的集成电路，常用于需要高效、紧凑设计的电源管理和信号切换应用。 应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，实现高效能和低功耗控制。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机驱动电路中作为功率开关使用。 3. LED驱动：用于LED背光或照明系统的开关控制，提供稳定电流路径。 4. 工业控制：如PLC（可编程逻辑控制器）中的信号切换与功率控制。 5. 消费电子：如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源开关与负载管理。 6. 通信设备：用于电信设备中的电源分配和信号路由。 该器件采用小型封装（如SOT-26），适合高密度PCB布局，适用于便携式设备和空间受限的设计。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升系统效率和响应速度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4LMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道，共漏 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.3 A, 5 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG4511SK4-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG4511SK4-13 |
| Pd-PowerDissipation | 1.54 W |
| Pd-功率耗散 | 1.54 W |
| Qg-GateCharge | 18.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18.7 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms, 65 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 35 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 35 V, 35 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.8 ns |
| 下降时间 | 35.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 8A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-4L |
| 其它名称 | DMG4511SK4-13DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 33.2 ns |
| 功率-最大值 | 1.54W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 封装/箱体 | TO-252-4L-4 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 35V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A，5A |
| 系列 | DMG4511S |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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