Datasheet下载- 型号： QS5K2TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供QS5K2TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS5K2TR价格参考。ROHM SemiconductorQS5K2TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载QS5K2TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有QS5K2TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的QS5K2TR是一款MOSFET阵列器件，主要应用于需要高效开关和功率管理的场景。其典型应用包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器等电路中，实现高效的能量转换，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块。 2. 负载开关：作为高侧或低侧开关，用于控制电池供电设备中的电源分配，如智能手机、平板电脑和便携式仪器。 3. 马达驱动：在小型电机控制电路中，如无人机、机器人和电动工具中，提供快速开关和低导通电阻，提升效率与响应速度。 4. LED背光驱动：用于液晶显示器背光调节电路，支持高频率开关，实现亮度精确控制。 5. 汽车电子：适用于车载充电系统、LED照明及传感器驱动等场景，具备良好的温度稳定性和可靠性。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5MOSFET N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共源 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor QS5K2TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | QS5K2TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 175pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT5 |
| 其它名称 | QS5K2DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 110 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 封装/箱体 | TSMT-5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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