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  • 型号: NSS1C201LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSS1C201LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS1C201LT1G价格参考¥0.80-¥1.77。ON SemiconductorNSS1C201LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 2A 110MHz 490mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NSS1C201LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS1C201LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 100V 2A SOT-23两极晶体管 - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS1C201LT1G-

数据手册

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产品型号

NSS1C201LT1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 500mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

NSS1C201LT1GOSCT

功率-最大值

490mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

110 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

710 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

3 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

360

直流集电极/BaseGainhfeMin

40

系列

NSS1C201L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

140 V

集电极—射极饱和电压

150 mV

集电极连续电流

2 A

频率-跃迁

110MHz

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