ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTD25P03LT4G
Datasheet下载- 型号： NTD25P03LT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD25P03LT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD25P03LT4G价格参考￥2.51-￥2.51。ON SemiconductorNTD25P03LT4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 25A（Ta） 75W（Tj） DPAK。您可以下载NTD25P03LT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD25P03LT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTD25P03LT4G是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管器件。该型号广泛应用于各类中低功率电子系统中，适用于需要高效率开关控制的场景。 典型应用场景包括：电源管理电路，如电池供电设备中的电源开关，用于控制设备的待机与工作模式切换；便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、移动电源）中的负载开关或反向电流保护；DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关；以及电机驱动、继电器驱动等功率控制场合。 NTD25P03LT4G具有-30V的漏源电压（VDS）和-2.5A的连续漏极电流能力，导通电阻较低（典型值约120mΩ），有助于减少导通损耗，提高系统能效。其SOT-223封装便于散热，适合对空间和热性能有要求的应用。 此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的温度稳定性，可在工业级温度范围（-55°C至+150°C）内稳定工作，适用于消费电子、工业控制、汽车电子外围电路等多种环境。 综上，NTD25P03LT4G是一款可靠性高、性价比优的P沟道MOSFET，特别适合中小功率开关与电源控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 25A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD25P03LT4G |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 25A，5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD25P03LT4GOS |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Ta） |
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