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IRF7314TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7314TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7314TRPBF价格参考。International RectifierIRF7314TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 5.3A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7314TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7314TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7314TRPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该型号的应用场景主要集中在需要高效功率管理、低导通电阻和快速开关性能的电子设备中。以下是其具体应用场景: 1. 电源管理: IRF7314TRPBF 常用于 DC-DC 转换器、电压调节模块(VRM)和开关电源(SMPS)中。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动: 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。其快速开关能力和高电流承载能力使其适合在电机控制应用中实现精确的速度和方向控制。 3. 消费电子产品: 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,IRF7314TRPBF 可用于电池充电管理、负载切换和保护电路,确保设备的安全性和稳定性。 4. 通信设备: 在基站、路由器和交换机等通信设备中,该 MOSFET 阵列可用于信号放大、功率分配和热插拔保护功能。 5. 工业自动化: 用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和工业电源中,提供高效的功率转换和可靠的开关性能。 6. 汽车电子: 在车载电子系统中,如车载信息娱乐系统、LED 照明控制和电动助力转向系统(EPS),IRF7314TRPBF 的高性能和可靠性满足了严苛的工作环境要求。 总之,IRF7314TRPBF 凭借其出色的电气特性和封装设计,广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的各种领域,尤其是在对能耗和空间有严格要求的场合中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7314TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7314TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 98 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 98 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 58 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7314PBFTR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 98 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 19 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 5.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |