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Datasheet下载- 型号： DMN66D0LDW-7
- 制造商： Diodes Inc.
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DMN66D0LDW-7产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN66D0LDW-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN66D0LDW-7价格参考。Diodes Inc.DMN66D0LDW-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 115mA 250mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载DMN66D0LDW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN66D0LDW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN66D0LDW-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适合用于各种电源管理和信号切换的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 便携式电子设备： DMN66D0LDW-7 适用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理模块，例如负载开关、电池充电电路和 DC-DC 转换器。 2. 消费类电子产品： 在电视、音频设备、家用电器中，该器件可用于电源适配器、背光驱动和电机控制等电路中，提供高效能的功率转换和开关功能。 3. 通信设备： 在网络路由器、交换机和其他通信设备中，该 MOSFET 阵列可用于信号切换、电源调节和保护电路，确保稳定性和可靠性。 4. 工业应用： 适用于工业自动化设备中的传感器接口、继电器驱动和小型电机控制。其低导通电阻特性可以减少功率损耗，提高系统效率。 5. 汽车电子： 在汽车电子系统中，如信息娱乐系统、车窗升降控制器和 LED 照明电路中，该器件能够提供可靠的开关性能和低功耗表现。 6. 物联网 (IoT) 设备： 在 IoT 设备中，该 MOSFET 可用于电源管理单元和信号切换，支持低功耗运行，延长电池寿命。 总结来说，DMN66D0LDW-7 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装设计，广泛应用于需要高效功率转换和信号切换的领域，特别是在对空间和能耗要求较高的现代电子设备中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363MOSFET 250mW 60Vdss |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
| Id-连续漏极电流 | 115 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN66D0LDW-7 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6000 mOhms at 5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 23pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 115mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DMN66D0LDW7 |
| 其它图纸 |
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| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 115mA |
| 系列 | DMN66D |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
