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SI7958DP-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7958DP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7958DP-T1-E3价格参考。VishaySI7958DP-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7958DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7958DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7958DP-T1-E3是一款双N沟道MOSFET阵列,采用TSSOP-8封装,具有低导通电阻和高开关效率,适用于多种电源管理和功率控制场景。该器件常用于便携式电子设备中的负载开关、电源管理单元(PMU)及电池供电系统,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。其低栅极电荷和快速开关特性使其适合高频DC-DC转换器和同步整流应用,提升能效并减少发热。此外,SI7958DP-T1-E3也广泛应用于电机驱动、LED驱动电路以及热插拔电源控制中,能够有效降低功耗并提高系统可靠性。由于其小型化封装和优异的热性能,该MOSFET阵列特别适合空间受限但对性能要求较高的消费类电子产品和工业控制设备。整体而言,SI7958DP-T1-E3凭借高集成度、低损耗和稳定性能,在需要高效能、小体积的电源开关与功率管理场合中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7958DP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7958DP-T1-E3SI7958DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16.5 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16.5 毫欧 @ 11.3A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7958DP-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 66 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 16.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 7.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.2A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7958DP-E3 |