Datasheet下载- 型号： SI5933CDC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5933CDC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5933CDC-T1-E3价格参考。VishaySI5933CDC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5933CDC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5933CDC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5933CDC-T1-E3 是一款双通道 N 沫 FET 阵列晶体管，属于晶体管 - FET，MOSFET - 阵列类别。其应用场景主要包括以下几方面： 1. 电源管理：该型号适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块 (VRM)。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 信号切换：在需要快速切换信号的场景中，例如音频信号切换或数据线切换，SI5933CDC-T1-E3 可以提供稳定的性能和较低的开关损耗。 3. 电机控制：用于小型电机驱动和控制电路，尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的应用中，例如消费电子设备中的风扇或振动马达。 4. 电池保护与管理：在便携式设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，这款 MOSFET 阵列可用于电池保护电路，防止过流、短路和过度放电。 5. 通信设备：适用于通信基础设施中的信号处理和功率分配，例如路由器、交换机和基站中的功率级应用。 6. 工业自动化：在工业控制领域，可用于传感器接口、继电器替代和信号隔离等场合，支持更紧凑的设计和更高的可靠性。 7. 消费电子产品：广泛应用于 USB 充电器、USB-C 接口保护、固态硬盘 (SSD) 和其他需要高效功率管理的消费类设备。 总之，SI5933CDC-T1-E3 凭借其高性能参数和小型封装（如 QFN 封装），非常适合对空间和效率有严格要求的现代电子设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68822 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5933CDC-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5933CDC-T1-E3SI5933CDC-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 144 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 144 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 276pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 144 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A |
| 系列 | SI59xxxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI5933CDC-E3 |
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