ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI7439DP-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI7439DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7439DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7439DP-T1-GE3价格参考￥17.61-￥17.61。VishaySI7439DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 150V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7439DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7439DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7439DP-T1-GE3 是一款 N 沟道 MOSFET，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：该 MOSFET 适用于各种电源管理电路，如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。它能够提供高效的开关性能，降低功耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，SI7439DP-T1-GE3 可用于驱动小型直流电机或步进电机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少发热，延长设备使用寿命。 3. 负载切换：在需要频繁切换负载的应用中，如智能家电、工业控制系统等，这款 MOSFET 可以快速响应，确保负载的安全可靠切换。 4. 电池管理系统 (BMS)：用于电池保护和充电管理，特别是在锂电池管理系统中，MOSFET 可以防止过充、过放和短路等问题，保障电池安全。 5. 通信设备：在网络通信设备中，如路由器、交换机等，MOSFET 可用于电源模块和其他关键电路部分，确保设备稳定运行。 6. 汽车电子：在汽车电子系统中，如车身控制模块、电动助力转向系统 (EPS) 等，SI7439DP-T1-GE3 提供了可靠的开关性能，满足车规级要求。 7. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，MOSFET 可用于电源管理和外围接口控制，提升设备的整体性能和续航能力。 总之，SI7439DP-T1-GE3 凭借其优异的电气特性，广泛应用于多种领域，尤其适合对效率和可靠性有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8MOSFET 150V 5.2A 5.4W 90mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7439DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7439DP-T1-GE3SI7439DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7439DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7439DP-GE3 |
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