ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTA144EM,315
Datasheet下载- 型号： PDTA144EM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA144EM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA144EM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA144EM,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3。您可以下载PDTA144EM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA144EM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA144EM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（R₁=47 kΩ，R₂=47 kΩ），具备 100 mA 集电极电流（IC）和 50 V 集电极-发射极电压（VCEO）额定值，采用超小型 SOT-323（SC-70）封装。 该器件主要面向低功耗、空间受限的数字开关与逻辑接口应用。典型应用场景包括： ✅ 微控制器（MCU）I/O端口驱动：内置偏置电阻简化外围电路，可直接由3.3V/5V逻辑电平控制LED、蜂鸣器或小功率继电器； ✅ 电平转换与信号缓冲：在不同电压域（如1.8V MCU驱动3.3V负载）间实现可靠开关，减少外部电阻数量； ✅ 便携式电子设备中的状态指示电路：如智能手机、可穿戴设备、IoT传感器节点中的LED背光或状态灯控制； ✅ 电池供电设备的省电设计：低饱和压降（VCE(sat)典型值仅0.1V @ IC=10mA）和高直流电流增益（hFE≈60–160），提升能效； ✅ 替代传统“晶体管+2电阻”分立方案，显著节省PCB面积并提高生产良率与可靠性。 因其集成化、小型化与即插即用特性，PDTA144EM,315 广泛用于消费电子、工业控制板、通信模块及汽车电子（非安全关键系统）等对成本、尺寸和设计简易性敏感的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA144EM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 934057169315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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