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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SSM6N42FE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6N42FE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6N42FE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6N42FE(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6N42FE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6N42FE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM6N42FE(TE85L,F)是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）推出的一款MOSFET阵列产品，属于N沟道增强型场效应晶体管，采用小型封装（如US6），适用于空间受限的高密度电路设计。该器件集成了两个相同的N通道MOSFET，常用于需要低导通电阻和快速开关性能的应用场景。 主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理与负载开关控制；电池供电系统中的电源通断与反向电流保护；DC-DC转换器中的同步整流或开关元件；以及各类小型电机驱动、LED驱动和信号切换电路。其低阈值电压和优异的开关特性使其在低功耗、高效率设计中表现出色。 此外，该MOSFET阵列也广泛应用于消费类电子产品、工业控制模块和通信设备中的逻辑控制与电平转换功能。由于其封装紧凑、热性能良好，适合自动化贴片生产，有助于提升产品可靠性和制造效率。总体而言，SSM6N42FE(TE85L,F)是一款高性能、高集成度的功率开关解决方案，特别适用于对尺寸和能效有较高要求的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N42FE点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM6N42FE(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 90pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24813 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | ES6（1.6x1.6） |
| 其它名称 | SSM6N42FE(TE85LF)CT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 800mA |
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