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  • 型号: PESD12VV1BL,315
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PESD12VV1BL,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD12VV1BL,315价格参考。NXP SemiconductorsPESD12VV1BL,315封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载PESD12VV1BL,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PESD12VV1BL,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护半导体

描述

TVS DIODE 12VWM 38VC SOD882-2TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD Protection Diode Very Low Capacitance

产品分类

TVS - 二极管分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PESD12VV1BL,315-

数据手册

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产品型号

PESD12VV1BL,315

PCN封装

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不同频率时的电容

17pF @ 1MHz

产品种类

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器

供应商器件封装

SOD-882

其它名称

568-10729-1

击穿电压

14.6 v to 16.8 V

功率-峰值脉冲

290W

包装

剪切带 (CT)

单向通道

-

双向通道

1

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOD-882

封装/箱体

SOD-882

尺寸

0.5 mm W x 1.02 mm L

峰值脉冲功率耗散

290 W

工作温度

-55°C ~ 150°C (TA)

工厂包装数量

10000

应用

通用

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

极性

Bidirectional

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

14.6V

电压-反向关态(典型值)

12V (最小值)

电压-箝位(最大值)@Ipp

38V

电容

17 pF

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

7.8A (8/20µs)

电源线路保护

端接类型

SMD/SMT

类型

齐纳

系列

PESD12VV1BL

钳位电压

22 V

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