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Datasheet下载- 型号： BSS138W-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138W-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138W-7-F价格参考￥0.18-￥0.20。Diodes Inc.BSS138W-7-F封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323。您可以下载BSS138W-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS138W-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS138W-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的单通道N沟道增强型MOSFET晶体管。它具有低导通电阻、低栅极电荷和高开关速度等特性，适用于多种应用场景，尤其是在需要高效能和小尺寸设计的场合中表现优异。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 BSS138W-7-F常用于各种电源管理电路中，如DC-DC转换器、线性稳压器、负载开关等。由于其低导通电阻（Rds(on)），在导通状态下可以减少功率损耗，提高电源效率。此外，它的低栅极电荷特性使得开关速度更快，减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。 2. 信号切换 该器件也广泛应用于信号切换电路中，例如音频信号切换、传感器信号切换等。BSS138W-7-F的低导通电阻和快速开关特性使其能够在不同信号源之间进行快速切换，同时保持较低的信号失真和噪声。 3. 保护电路 BSS138W-7-F可用于过流保护、短路保护等保护电路中。通过检测电流大小并控制MOSFET的导通与关断，可以在出现异常情况时迅速切断电路，保护系统免受损坏。其低导通电阻有助于减少保护电路中的功耗。 4. 电池管理系统 在电池管理系统中，BSS138W-7-F可以作为充电/放电路径上的开关，控制电池的充放电过程。它的低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命。此外，它还可以用于电池组中的单节电池平衡电路，确保每节电池的电压一致。 5. 消费电子产品 该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费电子产品中。由于其小型化封装（SOT-23）和低功耗特性，非常适合这些对空间和功耗要求严格的便携式设备。 6. 工业控制 在工业自动化领域，BSS138W-7-F可用于驱动继电器、电机、LED灯等负载。其高可靠性和快速响应特性使得它能够在复杂的工业环境中稳定工作。 总之，BSS138W-7-F凭借其出色的性能和广泛的适用性，在多个领域都有重要的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3MOSFET 50V 200mW |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS138W-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS138W-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.2 W |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | BSS138W-FDITR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
| 系列 | BSS138 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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