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  • 型号: STP10NK80Z
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP10NK80Z产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP10NK80Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10NK80Z价格参考¥25.80-¥28.86。STMicroelectronicsSTP10NK80Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 9A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP10NK80Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP10NK80Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 9A TO-220MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9 A

Id-连续漏极电流

9 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP10NK80ZSuperMESH™

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产品型号

STP10NK80Z

Pd-PowerDissipation

160 W

Pd-功率耗散

160 W

Qg-GateCharge

72 nC

Qg-栅极电荷

72 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

900 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

900 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

20 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2180pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

72nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

900 毫欧 @ 4.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-7498-5
STP10NK80Z-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67328?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

65 ns

功率-最大值

160W

包装

管件

单位重量

1.438 g

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

9.6 S

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Tc)

系列

STP10NK80Z

通道模式

Enhancement

配用

/product-detail/zh/STEVAL-ISA032V1/497-6416-ND/1786217

配置

Single

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