ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFR320PBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFR320PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR320PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR320PBF价格参考¥询价-¥询价。VishayIRFR320PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 400V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR320PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR320PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFR320PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:IRFR320PBF适用于各种直流-直流转换器(DC-DC converters)、开关电源(SMPS)和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动:该器件可用于小型电机驱动电路中,例如家用电器、玩具、无人机等。其快速开关能力和良好的热性能使其适合于需要频繁启停或调速的应用。 3. 负载切换:在电池供电设备中,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑,IRFR320PBF可以用作负载开关,控制不同负载之间的电流流动,同时保持低功耗。 4. 逆变器和太阳能系统:此MOSFET可以用于光伏逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分,帮助实现高效的能量传输。 5. 保护电路:作为过流保护或短路保护的一部分,IRFR320PBF能迅速响应异常情况并切断电流路径,从而保护整个电路免受损害。 6. 音频放大器:在某些高保真音响设备中,这款MOSFET可能被用作输出级元件,提供强大的驱动能力而不失真。 总之,凭借其优越的电气特性和可靠性,IRFR320PBF非常适合要求高性能、低成本解决方案的各种工业、消费类电子产品领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAKMOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR320PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR320PBFIRFR320PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.8 欧姆 @ 1.9A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.8 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 20 nC |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 1.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 400 V |
| 漏极连续电流 | 3.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.1A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |