ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFL9014TRPBF
Datasheet下载- 型号： IRFL9014TRPBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL9014TRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL9014TRPBF价格参考￥6.56-￥6.74。VishayIRFL9014TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 1.8A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223。您可以下载IRFL9014TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFL9014TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix生产的IRFL9014TRPBF是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件采用表面贴装封装（如DPAK或TO-252），具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和功率控制场景。 典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：常用于电池供电设备中的负载开关，如便携式仪器、智能手机、平板电脑等，实现对不同模块的上电/断电控制，降低待机功耗。 2. DC-DC转换器：在同步整流或电压反向保护电路中作为开关元件，提升电源转换效率。 3. 电机驱动与继电器驱动：用于小型直流电机或电磁继电器的控制，提供可靠的开关性能。 4. 逆变器与H桥电路：在低功率逆变系统中与其他MOSFET配合使用，实现电流方向控制。 5. 过压/反接保护电路：利用其导通特性构建防反接或浪涌保护电路，保护后级电子元件。 IRFL9014TRPBF符合RoHS标准，具备良好的可靠性和温度耐受能力，适合工业控制、消费电子、汽车电子（非引擎舱）等领域的低电压、中等电流功率开关应用。由于其P沟道特性，在栅极加低电平时导通，控制逻辑简单，常用于简化驱动设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFL9014TRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFL9014TRPBFIRFL9014TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 63 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 毫欧 @ 1.1A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | IRFL9014PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 9.6 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 500 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | 1.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Tc） |
| 系列 | IRF/SIHFL9014 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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