Datasheet下载- 型号： IRLR3303TRL
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3303TRL由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3303TRL价格参考。International RectifierIRLR3303TRL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR3303TRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR3303TRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IRLR3303TRL是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理系统中。该器件具有30V耐压、高电流承载能力以及极低的导通电阻（RDS(on)），适合在低电压、大电流环境下高效运行。 典型应用场景包括：直流-直流（DC-DC）转换器，如笔记本电脑、服务器和通信设备中的同步整流电路；便携式电子设备的电源管理模块，如电池供电系统中的负载开关或热插拔控制；电机驱动电路，用于电动工具、无人机和小型家电中的直流电机控制；此外，还适用于高效率的同步降压变换器和电源逆变器等。 由于其采用SOT-223封装，具备良好的散热性能，IRLR3303TRL在紧凑型设计中表现优异，特别适合空间受限但对功耗敏感的应用。同时，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提升整体系统能效。 综上，IRLR3303TRL凭借其高性能参数和可靠性，广泛用于消费电子、工业控制、通信电源及汽车辅助系统等领域，是中低功率电源设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLR3303TRL |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlru3303.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlru3303.spi |
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