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  • 型号: 2N7002K-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002K-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002K-T1-GE3价格参考¥0.13-¥0.13。Vishay2N7002K-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 350mW(Ta) TO-236。您可以下载2N7002K-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7002K-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23MOSFET 60V 300mA 0.35W 2.0ohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

300 mA

Id-连续漏极电流

300 mA

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix 2N7002K-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

2N7002K-T1-GE32N7002K-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

0.35 W

Pd-功率耗散

350 mW

Qg-GateCharge

0.4 nC

Qg-栅极电荷

0.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

30pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 欧姆 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-236

其它名称

2N7002K-T1-GE3-ND
2N7002K-T1-GE3TR
2N7002KT1GE3

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

350mW

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 125 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

100 mS

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

300mA(Ta)

系列

2N7002

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

2N7002K-GE3

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