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Datasheet下载- 型号： 2SK545-11D-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK545-11D-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK545-11D-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK545-11D-TB-E封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 1mA 125mW Surface Mount 3-CP。您可以下载2SK545-11D-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK545-11D-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK545-11D-TB-E 是由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的JFET（结型场效应晶体管）。该型号晶体管属于N沟道增强型，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 2SK545-11D-TB-E 由于其低噪声特性和高线性度，常用于音频放大器电路中。它能够提供高质量的信号放大，适用于前置放大器、耳机放大器等对音质要求较高的设备。 2. 射频（RF）电路 该晶体管具有良好的高频特性，适合用于射频电路设计。它可以作为射频放大器的关键元件，应用于无线通信、无线电接收机等设备中，确保信号的稳定传输和放大。 3. 模拟开关 2SK545-11D-TB-E 可以用作模拟开关，尤其是在需要低导通电阻和低漏电流的应用中。它能够在不同的信号路径之间进行切换，适用于多路复用器、数据采集系统等场合。 4. 传感器接口电路 在传感器接口电路中，该晶体管可以用于信号调理，将微弱的传感器输出信号进行放大和处理。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，2SK545-11D-TB-E 能够提高信号的精度和稳定性。 5. 电源管理 虽然JFET不是传统的电源管理器件，但在某些低功耗应用中，2SK545-11D-TB-E 可以用于电压调节或电流控制。它的低静态功耗特性使其适合用于电池供电的便携式设备。 6. 保护电路 该晶体管还可以用于保护电路中，例如过流保护、短路保护等。通过检测异常电流并迅速响应，它可以有效保护后续电路免受损坏。 总结 2SK545-11D-TB-E 晶体管凭借其优异的性能，广泛应用于音频、射频、模拟开关、传感器接口、电源管理和保护电路等领域。其低噪声、高线性度和高频特性使其成为许多精密电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-InputCapacitance | 1.7 pF |
| Ciss-输入电容 | 1.7 pF |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 125MW CPJFET NCH J-FET |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 mA |
| Id-连续漏极电流 | 1 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor 2SK545-11D-TB-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK545-11D-TB-E |
| Pd-PowerDissipation | 100 mW |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 55 uA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1.5V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 60µA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1.7pF @ 10V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率-最大值 | 125mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏极电流Id-最大值 | 1 mA |
| 漏极连续电流 | 1 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 漏源电压VDS | 40 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 系列 | 2SK545 |
| 输入电容 | 1.7 pF |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
| 闸/源截止电压 | - 1.2 V |
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