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型号： IRFP460BPBF
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP460BPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP460BPBF价格参考。VishayIRFP460BPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC。您可以下载IRFP460BPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP460BPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRFP460BPBF是一款N沟道功率MOSFET，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件具有以下特点：

1. 高电流处理能力：最大连续漏极电流（ID）可达32A（25°C时），适合大电流应用。
2. 低导通电阻：在10V栅极驱动电压下，导通电阻（RDS(on)）仅为0.18Ω，有助于减少传导损耗，提高效率。
3. 高击穿电压：额定击穿电压（VDS）为500V，适用于高压环境，如电源转换、电机驱动等。
4. 快速开关特性：具备较低的输入电容和输出电容，支持高频开关操作，适合开关电源、逆变器等应用。

 应用场景

1. 开关电源（SMPS）：
   - 作为主开关管，用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等，提供高效的能量转换，降低热损耗。
   
2. 电机驱动：
   - 用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路中，控制电机的启停、转向和速度调节。
   
3. 逆变器：
   - 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，IRFP460BPBF可以作为功率级的关键元件，实现高效的直流到交流转换。
   
4. 电池管理系统（BMS）：
   - 用于保护电路中，作为开关元件，防止过流、短路等异常情况，确保电池的安全运行。
   
5. 工业自动化：
   - 在PLC、伺服驱动器等工业控制系统中，作为功率输出级，驱动负载或执行机构。
   
6. 汽车电子：
   - 适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电动刹车系统等，提供可靠的功率控制。

总之，IRFP460BPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效功率转换和控制的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 500V 20A TO-247ACMOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	20 A
Id-连续漏极电流	20 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP460BPBF-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFP460BPBFIRFP460BPBF
Pd-PowerDissipation	278 W
Pd-功率耗散	278 W
Qg-GateCharge	85 nC
Qg-栅极电荷	85 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	250 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	250 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	31 ns
下降时间	56 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3094pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	170nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	250 毫欧 @ 10A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-247AC
功率-最大值	278W
包装	管件
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	25
正向跨导-最小值	12 S
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Tc）
配置	Single