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  • 型号: STP75NF20
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP75NF20产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP75NF20由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP75NF20价格参考。STMicroelectronicsSTP75NF20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 75A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP75NF20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP75NF20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STP75NF20是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高电流开关能力的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高电源转换效率,尤其在开关电源(SMPS)中表现优异。

2. 电机控制:适用于直流电机驱动、步进电机控制器和电动工具中,提供快速开关和低导通电阻,有助于减少能量损耗。

3. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)、车身控制模块等,因其具备较高的可靠性和耐压能力(200V),适合汽车复杂工作环境。

4. 工业自动化:用于PLC输出模块、继电器替代方案、工业电机驱动器等,支持高频开关与高负载能力。

5. 消费类电子产品:如大功率LED照明、智能家电中的功率控制部分。

该器件具有低导通电阻(Rds(on)典型值为0.022Ω)、高电流容量(最大连续漏极电流75A)和良好的热稳定性,采用TO-220或D²PAK封装,便于散热和安装,适合高功率密度设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 75A TO-220MOSFET Low charge STripFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

75 A

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP75NF20STripFET™

数据手册

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产品型号

STP75NF20

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

34 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

34 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

33 ns

下降时间

29 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3260pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

84nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

34 毫欧 @ 37A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-5958-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166/PF157956?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

75 ns

功率-最大值

190W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 50 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

40 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

系列

STP75NF20

通道模式

Enhancement

配置

Single

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