Datasheet下载- 型号： IRFR1205TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1205TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1205TRLPBF价格参考￥2.46-￥3.56。International RectifierIRFR1205TRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR1205TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR1205TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFR1205TRLPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的单个器件类型。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：IRFR1205TRLPBF因其低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，适用于各种开关电源设计，如AC-DC或DC-DC转换器。 - 逆变器：在太阳能逆变器或其他电力电子逆变器中，该MOSFET可以用于高频开关以实现高效的电能转换。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC)：在BLDC电机驱动电路中，该MOSFET可以用作功率级开关，控制电机的转速和方向。 - 步进电机驱动：用于步进电机驱动器中的H桥或半桥电路，提供精确的电流控制。 3. 负载切换 - 负载开关：在工业设备或消费电子产品中，该MOSFET可以快速切换高电流负载，同时保持低功耗。 - 继电器替代：由于其快速开关特性和可靠性，可以替代传统机械继电器用于负载切换。 4. 电池管理系统 (BMS) - 过流保护：在锂电池或其他电池组中，用作保护电路的一部分，防止过流、短路等异常情况。 - 充放电控制：通过精确控制电流和电压，优化电池的充放电过程。 5. 汽车电子 - 启动/停止系统：在汽车启停系统中，该MOSFET可用于控制发动机启动时的大电流。 - 车载充电器：作为车载充电器中的功率开关，确保高效的能量转换。 6. 通信设备 - 基站功率放大器：在通信基站中，该MOSFET可用作功率放大器的开关元件，支持高效能量传输。 - 信号调制与解调：在高频信号处理中，利用其快速开关特性进行信号调制。 7. 工业自动化 - PLC控制：在可编程逻辑控制器 (PLC) 中，用作输出驱动器，控制电磁阀、继电器等设备。 - 伺服驱动：在伺服控制系统中，提供高精度的电流和电压控制。 总结 IRFR1205TRLPBF以其优异的电气性能（如低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度）广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、汽车电子、通信设备以及工业自动化等领域。具体应用取决于实际电路设计需求和工作环境条件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 1.3 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 44A DPAKMOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR1205TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR1205TRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 69 W |
| Pd-功率耗散 | 107 W |
| Qg-GateCharge | 43.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 65 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 69 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 26A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr1205.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr1205.spi |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
