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Datasheet下载- 型号： 2SK209-GR(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK209-GR(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK209-GR(TE85L,F)价格参考￥1.24-￥1.66。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK209-GR(TE85L,F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 JFET 10V 500µA 1kHz SC-59。您可以下载2SK209-GR(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK209-GR(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SK209-GR(TE85L,F)的Toshiba射频MOSFET晶体管，主要用于高频小信号放大和射频开关应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低噪声、高增益和优良的高频特性，适用于VHF（甚高频）和UHF（特高频）频段工作环境。 典型应用场景包括电视调谐器、FM收音机调谐模块、无线通信接收前端以及各类模拟信号处理电路。由于其封装小型化（如SOT-23或类似表面贴装封装），适合高密度印刷电路板设计，广泛用于消费类电子产品中，如数字电视机顶盒、便携式收音设备、车载广播接收器等。 此外，2SK209-GR具备良好的温度稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定，因此也适用于对环境适应性有一定要求的工业与民用电子设备。作为一款成熟的射频小信号MOSFET，它在替代传统双极型晶体管进行低功耗、高频率信号放大的设计中表现出色，是高频模拟电路中的常用元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH S-MINI FET |
| 产品分类 | RF FET |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK209-GR(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | 2SK209-GR(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | 1dB |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电压-测试 | 10V |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | 500µA |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10mA |
| 频率 | 1kHz |
| 额定电流 | - |
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