Datasheet下载- 型号： IRFSL7440PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL7440PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL7440PBF价格参考。International RectifierIRFSL7440PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFSL7440PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFSL7440PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFSL7440PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单通道设计。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：IRFSL7440PBF适用于开关电源中的DC-DC转换器，能够高效地进行电压转换，适用于便携式设备、通信设备和工业控制等领域。 - 降压/升压电路：在需要调节输出电压的电路中，这款MOSFET可以作为开关元件，实现高效的降压或升压功能。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：可用于驱动小型直流电机或步进电机，适合家用电器、玩具、办公自动化设备等场景。 - H桥电路：在H桥驱动电路中，IRFSL7440PBF可以用作开关元件，实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 负载开关 - 电子开关：由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，IRFSL7440PBF非常适合用作负载开关，用于控制各种电子负载的通断，例如LED照明、传感器模块等。 4. 信号放大与传输 - 信号切换：在需要高频信号切换的场景中，这款MOSFET可以用于信号路由或隔离，确保信号传输的稳定性和效率。 - 数据通信接口：适用于USB、UART等低功耗通信接口的保护和切换。 5. 电池管理系统 - 电池保护：在锂电池或镍氢电池组中，IRFSL7440PBF可以用作电池保护电路的开关元件，防止过充、过放或短路。 - 充电电路：在充电电路中，这款MOSFET可以用作功率开关，控制充电电流和电压。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降系统、雨刷控制、座椅调节等，IRFSL7440PBF可提供可靠的开关功能。 - 辅助驾驶系统：在一些低功耗辅助驾驶模块中，这款MOSFET可以用于信号处理和功率控制。 总结 IRFSL7440PBF凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备、汽车电子等领域。其主要用途包括电源管理、电机驱动、负载开关、信号放大与传输以及电池管理系统等。具体应用场景需根据实际电路设计需求选择合适的参数配置。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 40V 120A TO-262MOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 208 A |
| Id-连续漏极电流 | 208 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFSL7440PBFHEXFET®， StrongIRFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFSL7440PBF |
| PCN组件/产地 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| Qg-GateCharge | 135 nC |
| Qg-栅极电荷 | 135 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.9 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 68 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 功率-最大值 | 208W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | TO-262 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 88 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 208 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
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