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Datasheet下载- 型号： SI7922DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7922DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7922DN-T1-E3价格参考。VishaySI7922DN-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 100V 1.8A 1.3W 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 Dual。您可以下载SI7922DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7922DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7922DN-T1-E3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，适用于多种电力电子应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理 SI7922DN-T1-E3 常用于 DC-DC 转换器、开关电源和负载点 (PoL) 转换器中。它能够高效地控制电流的通断，减少功率损耗。该器件的低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高频率开关应用中表现出色，特别适合需要高效率和低热耗的应用场景。 2. 电机驱动 该 MOSFET 阵列可用于小型电机驱动电路中，例如步进电机、无刷直流电机 (BLDC) 和有刷直流电机。由于其双通道设计，可以同时控制两个独立的电机绕组，简化了电路设计并提高了系统的可靠性。 3. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，SI7922DN-T1-E3 可用于电池充放电控制、过流保护和短路保护。它的低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命，并提高整个系统的安全性。 4. 消费电子产品 该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中。它可以作为电源开关或负载开关，用于控制设备中的各种外设模块（如摄像头、显示屏等）的供电，确保这些模块在不使用时处于低功耗状态。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，SI7922DN-T1-E3 可用于可编程逻辑控制器 (PLC)、伺服驱动器和其他工业控制系统中。其快速开关特性和低功耗特性使其成为理想的选择，尤其是在需要频繁开关操作的应用中。 6. 通信设备 在通信设备中，如路由器、交换机和基站，该 MOSFET 阵列可用于电源管理和信号切换。它能够承受较高的电流和电压波动，确保设备在恶劣环境下稳定运行。 总之，SI7922DN-T1-E3 凭借其高性能、低功耗和紧凑封装的特点，适用于多种电力电子应用，特别是在需要高效电源管理和精确电流控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8MOSFET DUAL N-CH 100V (D-S) |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72031 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7922DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7922DN-T1-E3SI7922DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 195 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 195 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 195 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7922DN-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7922DN-E3 |
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