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产品简介:
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NTD4863NAT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池充电器,用于高效能的功率转换与调节。 2. 负载开关:可用于控制电源系统中的负载开关,如笔记本电脑、服务器和工业控制系统中的电源管理模块。 3. 电机驱动:在小型电机驱动电路中作为开关元件,用于控制电机的启停与转速。 4. 逆变器与变频器:在小型逆变器和变频器中用于功率控制和转换。 5. 汽车电子:用于汽车中的辅助电源系统、LED照明驱动和车载充电系统等场景。 该MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好热性能,适合需要节能与小型化设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4863NAT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 990pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.3 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.27W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.2A (Ta), 49A (Tc) |