ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STW25NM60ND
Datasheet下载- 型号： STW25NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STW25NM60ND产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW25NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW25NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW25NM60ND封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3。您可以下载STW25NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW25NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW25NM60ND是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压、高效率的应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：STW25NM60ND具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于开关电源中的功率转换部分。其600V的耐压能力使其能够应对高压输入环境，确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，这款MOSFET可以用于驱动直流电机或无刷直流电机（BLDC）。其低损耗和快速响应特性有助于提高电机的效率和性能，同时减少发热问题。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，STW25NM60ND可以作为功率级的关键组件，实现高效的直流到交流转换。其高耐压和低损耗特性使得它能够在恶劣的电气环境中保持可靠运行。 4. 不间断电源（UPS）：该MOSFET可用于UPS系统中的电池充电电路和逆变电路，确保在市电中断时能够迅速切换到备用电源，并提供稳定的输出电压。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器，STW25NM60ND可以用于控制各种执行器和传感器，提供精确的电流和电压控制，同时保证系统的可靠性和耐用性。 6. 汽车电子：尽管STW25NM60ND并非专门针对汽车应用设计，但在某些非关键性的车载电子设备中，如车灯控制、电动座椅调节等，它也可以发挥重要作用，提供稳定的电流输出和保护功能。 总之，STW25NM60ND凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW25NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW25NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 160 W |
| Pd-功率耗散 | 160 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-8455-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF202753?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
| 系列 | STW25NM60ND |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
