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产品简介:
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STMicroelectronics(意法半导体)的STB23NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(600V)和较高电流承载能力的特点,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、照明镇流器以及工业自动化设备中的功率控制部分。 STB23NM60N常用于电源适配器、充电器、家电(如洗衣机、空调)中的电机控制电路,也可用于太阳能逆变器、电动车充电系统等新能源领域。其高效率特性有助于降低系统功耗,提高整体能效,符合现代电子产品节能环保的发展趋势。 此外,该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗冲击能力,适用于较为严苛的工作环境,是工业和消费类电力电子设备中的常用器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB23NM60N |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 9.5A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 497-7943-6 |
功率-最大值 | 150W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |