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- 型号： STI26NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI26NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI26NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTI26NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI26NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI26NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STI26NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具有600V的漏源击穿电压和26A的连续漏极电流能力，适用于高电压和中高功率的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），用于提高能量转换效率并减小体积。 2. 电机驱动：在工业自动化和家电中用于控制直流或无刷电机的运转。 3. 照明系统：如LED驱动器，用于高效稳定地驱动大功率LED灯。 4. 消费类电子产品：如电视、音响设备中的电源部分。 5. 新能源领域：如太阳能逆变器、电动车充电设备中的功率控制模块。 该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合高频开关应用，有助于提升系统效率与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STI26NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 165 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-12261 |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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