ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列 > BAV99DW-7-F
Datasheet下载- 型号： BAV99DW-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAV99DW-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAV99DW-7-F价格参考￥0.28-￥3.59。Diodes Inc.BAV99DW-7-F封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 2 Pair Series Connection Standard 75V 215mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363。您可以下载BAV99DW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAV99DW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BAV99DW-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极性小信号二极管阵列，属于二极管 - 整流器 - 阵列类别。该器件内部集成了两个独立的高速开关二极管，采用 SOT-363（SC-88）小型封装，适合高密度贴装应用。 BAV99DW-7-F 主要应用于高频、低电压、小电流的信号整流与保护场景。常见用途包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的信号调理电路；通信接口（如USB、I2C、GPIO线路）的静电放电（ESD）保护和反向电压隔离；以及各类消费类电子产品中的开关电源反馈回路、电压钳位和逻辑电平转换电路。 由于其快速的开关特性（反向恢复时间短）和低漏电流，BAV99DW-7-F 在高频信号处理中表现出色，适用于需要高效响应的场合。此外，其小型化封装使其非常适合空间受限的便携式设备设计。 综上，BAV99DW-7-F 广泛用于消费电子、通信设备、计算机外设及工业控制等领域的信号整流、ESD 保护和电路隔离应用，是一款高可靠性、高集成度的小信号二极管阵列器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ARRAY 75V 215MA SOT363二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mW |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,Diodes Incorporated BAV99DW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BAV99DW-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2.5µA @ 75V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 2 对串联 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 二极管 - 通用，功率，开关 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | BAV99DW-FDIDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 峰值反向电压 | 75 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 4 ns |
| 最大反向漏泄电流 | 2.5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.25 V |
| 正向连续电流 | 0.215 A |
| 热阻 | 625°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 75V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 215mA（DC） |
| 系列 | BAV99D |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Double Dual Series |
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