ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFS17NTA
Datasheet下载- 型号： BFS17NTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFS17NTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFS17NTA价格参考。Diodes Inc.BFS17NTA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 11V 50mA 3.2GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载BFS17NTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFS17NTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFS17NTA是Diodes Incorporated推出的一款高频NPN型射频双极结型晶体管（BJT），广泛应用于射频（RF）信号放大和高频开关场景。其主要特点包括高截止频率（fT可达5GHz以上）、低噪声系数和良好的增益性能，适合处理高频小信号。 典型应用场景包括： 1. 无线通信系统：用于FM收音机、对讲机、无线麦克风等设备中的射频前置放大器，提升接收灵敏度； 2. 物联网（IoT）模块：在Zigbee、蓝牙（Bluetooth）、Wi-Fi等短距离无线通信模块中作为低功率射频放大器使用； 3. 射频识别（RFID）：在读写器电路中用于信号放大与调制解调； 4. 电视与广播接收前端：应用于VHF/UHF频段的高频信号放大； 5. 便携式电子设备：因其小型化封装（SOT-23）和低功耗特性，适用于手机、可穿戴设备等空间受限的产品。 BFS17NTA具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业温度范围内稳定工作，是高频模拟电路设计中的常用器件。需注意在PCB布局时优化阻抗匹配与接地，以发挥其最佳高频性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF NPN 3.2GHZ 11V SOT23两极晶体管 - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BFS17NTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFS17NTA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | BFS17NTADITR |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 增益带宽产品fT | 3.2 GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 330 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 50 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 11V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 56 |
| 系列 | BFS17 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 11 V |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 频率-跃迁 | 3.2GHz |
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