Datasheet下载- 型号： SUM50N06-16L-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM50N06-16L-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM50N06-16L-E3价格参考。VishaySUM50N06-16L-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUM50N06-16L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUM50N06-16L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUM50N06-16L-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压电路中的开关元件，实现高效的电压转换。 - 开关电源（SMPS）：作为功率开关，控制电流流动，提供稳定的输出电压。 - 负载开关：在便携式设备中用于动态管理电源分配，降低功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器等场景，用于启动、停止和调速。 - H桥电路：用于双向电机控制，支持正转和反转功能。 3. 电池管理系统 - 电池保护：防止过充、过放、短路等异常情况，确保电池安全。 - 电量监测：通过精确控制电流流动，支持电池电量的高效管理。 4. 信号切换 - 信号隔离与切换：在多路复用器或数据传输系统中，用于选择性地导通或断开信号路径。 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换不同的输入源。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降、座椅调节、雨刷控制等，需要低功耗和高可靠性的MOSFET。 - LED驱动：用于汽车照明系统的亮度调节和保护。 6. 消费电子 - 笔记本电脑和智能手机：用于充电管理、电池保护和外围设备的电源控制。 - USB接口保护：防止过流和短路，保护设备免受损坏。 7. 工业应用 - 传感器接口：用于工业自动化设备中的信号放大和隔离。 - 继电器替代：在高频或快速切换场景中，MOSFET可替代传统机械继电器。 总结 SUM50N06-16L-E3凭借其低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和可靠性，广泛应用于各种低功率至中功率的电子设备中。它适合需要高效功率转换、低功耗和快速响应的应用场景，是现代电子设计中的重要元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKMOSFET 60V 50A 93W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM50N06-16L-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUM50N06-16L-E3SUM50N06-16L-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1325pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | SUM50N06-16L-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | SUM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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