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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2088R-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2088R-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2088R-EL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HAT2088R-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HAT2088R-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HAT2088R-EL-E是瑞萨电子(Renesas Electronics America)推出的一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件主要用于低电压、低功耗的开关应用场合。 典型应用场景包括便携式电子设备中的电源管理,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,常用于电池供电系统的负载开关或电源通断控制。由于其具备较低的导通电阻(RDS(on))和低阈值电压,能够在低电压条件下高效工作,有效减少功耗和发热,提升系统能效。 此外,HAT2088R-EL-E也适用于各类小型消费类电子产品中的信号切换、电机驱动控制、LED驱动电路以及各种需要P沟道MOSFET进行高边或低边开关的场合。其封装小巧(如DFN1010),适合高密度PCB布局,满足现代电子产品小型化、轻薄化的设计需求。 综上,HAT2088R-EL-E凭借其低功耗、高效率和小尺寸特点,广泛应用于移动设备、物联网终端及各类电池供电系统中,是理想的电源开关与控制元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HAT2088R-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 440 毫欧 @ 1A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |