Datasheet下载- 型号： IRFSL23N20D
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL23N20D由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL23N20D价格参考。International RectifierIRFSL23N20D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFSL23N20D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFSL23N20D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFSL23N20D的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，是一款单沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性开关性能的电子系统中。 IRFSL23N20D的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，实现高效的电能转换与调节。 2. 电机控制：在直流电机驱动、步进电机或无刷电机控制系统中作为功率开关使用。 3. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等对可靠性要求较高的场景。 4. 工业自动化：用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业设备中的功率开关和负载控制。 5. 消费类电子产品：例如高效率适配器、电池充电器及智能家电中的电源管理模块。 6. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统中的功率转换部分。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压（200V）和良好的热稳定性，适合高频开关应用，有助于提升系统效率并减小散热设计复杂度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFSL23N20D |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRFSL23N20D |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
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