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  • 型号: SIB452DK-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIB452DK-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIB452DK-T1-GE3价格参考。VishaySIB452DK-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 190V 1.5A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK® SC-75-6L 单。您可以下载SIB452DK-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIB452DK-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

670 mA

Id-连续漏极电流

670 mA

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIB452DK-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SIB452DK-T1-GE3SIB452DK-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

2.4 W

Pd-功率耗散

2.4 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

190 V

Vds-漏源极击穿电压

190 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

上升时间

16 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

135pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 欧姆 @ 500mA,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SC-75-6L 单

其它名称

SIB452DK-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

13W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SC-75-6L

封装/箱体

PowerPAK SC-75-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

190V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.5A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Dual Source

零件号别名

SIB452DK-GE3

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