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  • 型号: 2N7002BKMB,315
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002BKMB,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002BKMB,315价格参考。NXP Semiconductors2N7002BKMB,315封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 450mA(Ta) 360mW(Ta) DFN1006B-3。您可以下载2N7002BKMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7002BKMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFNMOSFET N-Chan 60V 450mA

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

450 mA

Id-连续漏极电流

450 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002BKMB,315-

数据手册

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产品型号

2N7002BKMB,315

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

715 mW

Pd-功率耗散

715 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.6 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.6 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.6 欧姆 @ 450mA, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-DFN1006B(0.6x1)

其它名称

568-10438-6

功率-最大值

360mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.6 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

3-XFDFN

封装/箱体

DFN1006B-3

工厂包装数量

10000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

450 mA

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

450mA (Ta)

配置

Single

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